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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB

总分
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

总分
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Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB 需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 15.1
    测试中的平均数值
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB 需要考虑的原因
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    21 left arrow 54
    左右 -157% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.1 left arrow 1,973.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    54 left arrow 21
  • 读取速度，GB/s
    4,967.4 left arrow 15.1
  • 写入速度，GB/s
    1,973.5 left arrow 7.1
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    776 left arrow 2250

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB RAM的比较

Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
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内存RAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
内存RAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
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