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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB

总分
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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

总分
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Samsung 9905599-020.A00G 16GB

Samsung 9905599-020.A00G 16GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB 需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 15.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,034.7 left arrow 13.2
    测试中的平均数值
Samsung 9905599-020.A00G 16GB 需要考虑的原因
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 48
    左右 -85% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    48 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    4,295.1 left arrow 15.6
  • 写入速度，GB/s
    2,034.7 left arrow 13.2
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    650 left arrow 2783

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB RAM的比较

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内存RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
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