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Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
比较
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB vs Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
总分
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
23
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
22
读取速度,GB/s
15.2
20.0
写入速度,GB/s
9.8
16.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2454
4006
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
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