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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Kingston 9965604-001.D00G 16GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
35
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
35
读取速度,GB/s
19.1
10.5
写入速度,GB/s
13.1
8.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2353
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
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Kingston 9965604-001.D00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
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