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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
46
左右 57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
46
读取速度,GB/s
19.1
13.7
写入速度,GB/s
13.1
12.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
2961
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Transcend Information JM1333KLN-4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
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