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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
34
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
33
读取速度,GB/s
16.0
17.2
写入速度,GB/s
10.3
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
3595
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
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