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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 -36% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
25
读取速度,GB/s
16.0
14.5
写入速度,GB/s
10.3
13.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
3377
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
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