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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
9.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 -36% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
25
读取速度,GB/s
16.0
14.8
写入速度,GB/s
10.3
9.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2340
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
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