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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Kingston 9965600-011.A01G 16GB

总分
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

总分
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Kingston 9965600-011.A01G 16GB

Kingston 9965600-011.A01G 16GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB 需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    41 left arrow 46
    左右 11% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 10.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
Kingston 9965600-011.A01G 16GB 需要考虑的原因
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    41 left arrow 46
  • 读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 10.7
  • 写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 8.1
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2385 left arrow 2239

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
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Kingston HX316C10F/4 4GB
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内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
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Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
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内存RAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
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内存RAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
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