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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
54
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
54
读取速度,GB/s
14.6
15.7
写入速度,GB/s
8.8
11.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2511
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
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