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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
比较
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
总分
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
25
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
22
读取速度,GB/s
14.2
17.7
写入速度,GB/s
8.1
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2307
3117
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
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Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
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