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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
45
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
45
读取速度,GB/s
13.9
13.2
写入速度,GB/s
8.7
12.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2841
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
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