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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Kingston KYXC0V-MIB 16GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
38
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
34
读取速度,GB/s
13.9
14.8
写入速度,GB/s
8.7
9.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2739
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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