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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
5.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 -41% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
27
读取速度,GB/s
13.9
11.2
写入速度,GB/s
8.7
5.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
1774
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
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