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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
85
左右 59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
85
读取速度,GB/s
14.3
11.3
写入速度,GB/s
9.4
6.0
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2479
1118
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB RAM的比较
Kingston KHX2133C11D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
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Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
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Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
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SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
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