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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
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更快的读取速度,GB/s
19
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
20
读取速度,GB/s
17.0
19.0
写入速度,GB/s
11.5
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
3172
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB RAM的比较
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Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
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