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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
28
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
28
读取速度,GB/s
22.8
17.1
写入速度,GB/s
15.4
13.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3447
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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