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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
32
左右 47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
32
读取速度,GB/s
22.8
17.3
写入速度,GB/s
15.4
13.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3422
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
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