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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
28
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
28
读取速度,GB/s
22.8
17.3
写入速度,GB/s
15.4
13.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3359
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
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