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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
34
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
34
读取速度,GB/s
22.8
16.2
写入速度,GB/s
15.4
12.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3135
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
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