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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
37
左右 54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
37
读取速度,GB/s
22.8
14.4
写入速度,GB/s
15.4
11.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2712
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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