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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
31
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
31
读取速度,GB/s
22.8
15.3
写入速度,GB/s
15.4
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3126
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
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Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
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