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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
31
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.6
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
31
读取速度,GB/s
22.8
16.5
写入速度,GB/s
15.4
15.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3142
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
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