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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
33
左右 48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
21.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
33
读取速度,GB/s
22.8
21.1
写入速度,GB/s
15.4
14.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3437
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
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