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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
34
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
18.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
34
读取速度,GB/s
22.8
18.9
写入速度,GB/s
15.4
13.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3184
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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