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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
39
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
30
读取速度,GB/s
14.0
20.2
写入速度,GB/s
9.0
16.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
3844
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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