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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
48
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.4
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
48
读取速度,GB/s
11.4
10.4
写入速度,GB/s
7.4
8.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
1858
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
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Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
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