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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
28
读取速度,GB/s
11.4
14.4
写入速度,GB/s
7.4
7.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2690
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
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SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
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