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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
41
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.8
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
41
读取速度,GB/s
11.4
12.8
写入速度,GB/s
7.4
9.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2238
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
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