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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
38
读取速度,GB/s
11.4
14.0
写入速度,GB/s
7.4
10.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2055
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
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