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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
26
读取速度,GB/s
11.4
13.2
写入速度,GB/s
7.4
14.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3068
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
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