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Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
比较
Corsair VS1GB800D2 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
总分
Corsair VS1GB800D2 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VS1GB800D2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
47
左右 -81% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,361.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
26
读取速度,GB/s
4,680.7
19.7
写入速度,GB/s
1,361.1
15.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
460
3832
Corsair VS1GB800D2 1GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
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Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
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