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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
51
左右 -113% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
24
读取速度,GB/s
4,246.9
16.2
写入速度,GB/s
1,839.1
13.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
2839
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
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