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Crucial Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
比较
Crucial Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
总分
Crucial Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
总分
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
43
左右 47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
14900
12800
左右 1.16% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
23
43
读取速度,GB/s
15.9
14.4
写入速度,GB/s
11.1
9.0
内存带宽,mbps
14900
12800
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2892
2422
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5471-050.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
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