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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.7
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
12.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
31
读取速度,GB/s
16.9
17.7
写入速度,GB/s
12.0
14.7
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3297
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Jinyu 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
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