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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
33
读取速度,GB/s
16.9
16.1
写入速度,GB/s
12.0
11.7
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2702
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
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