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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
32
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
32
读取速度,GB/s
16.9
15.5
写入速度,GB/s
12.0
11.8
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
3198
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
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