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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
35
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
35
读取速度,GB/s
13.6
15.7
写入速度,GB/s
9.4
11.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
2768
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
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