RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
比较
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
总分
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
29
读取速度,GB/s
12.6
20.0
写入速度,GB/s
7.8
15.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2209
3559
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB RAM的比较
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
AMD R7416G2400U2S 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link