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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
比较
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
总分
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
总分
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
33
读取速度,GB/s
14.3
14.7
写入速度,GB/s
10.1
11.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2227
2732
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-024.D01G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
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