Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

总分
star star star star star
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

总分
star star star star star
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB

差异

  • 更快的写入速度,GB/s
    8.6 left arrow 8.4
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    24 left arrow 25
    左右 -4% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    12.9 left arrow 12.1
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    25 left arrow 24
  • 读取速度,GB/s
    12.1 left arrow 12.9
  • 写入速度,GB/s
    8.6 left arrow 8.4
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2045 left arrow 1788
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较