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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
48
左右 48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.1
10.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
48
读取速度,GB/s
12.1
10.8
写入速度,GB/s
8.6
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2431
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
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