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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
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规格
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
41
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
37
读取速度,GB/s
13.9
15.1
写入速度,GB/s
9.7
12.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
3121
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
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