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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
77
左右 47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
77
读取速度,GB/s
13.9
15.5
写入速度,GB/s
9.7
8.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
1809
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较
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V-GEN D4R8GL24A8R 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
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