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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
差异
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差异
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
41
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
40
读取速度,GB/s
13.9
16.1
写入速度,GB/s
9.7
13.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
3028
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
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