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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
比较
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
总分
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
总分
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,001.3
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
58
左右 -66% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
35
读取速度,GB/s
4,796.5
13.5
写入速度,GB/s
2,001.3
10.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
768
2155
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
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