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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
比较
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Kingston 9905678-121.A00G 8GB
总分
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
总分
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
43
左右 -87% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
23
读取速度,GB/s
12.7
16.6
写入速度,GB/s
8.0
10.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2710
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
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Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
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