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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
比较
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
总分
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,935.8
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
45
左右 -18% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
38
读取速度,GB/s
6,336.8
14.7
写入速度,GB/s
2,935.8
12.4
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1144
2908
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
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