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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
44
左右 41% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
44
读取速度,GB/s
13.2
17.3
写入速度,GB/s
8.4
10.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2523
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
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