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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
12.4
15.5
写入速度,GB/s
7.5
12.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
2660
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
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Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
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